M/A-COM Technology Solutions (MACOM) annonce l’échantillonnage, sous la référence MAGX-100027-100C0P, d’un transistor à large bande optimisé pour fonctionner du continu à 2,7 GHz, produit à l’aide d’un processus de fabrication GaN-sur-Si (Nitrure de galium sur silicium) de 4e génération. Ce transistor HEMT D-Mode GaN-sur-Si est adapté aux transmissions militaires, à la radio terrestre mobile, à l’avionique, aux infrastructures sans-fil, et aux applications radar en bandes VHF/UHF/L/S.

Macom-170915Le MAGX-100027-100C0P fonctionne en mode CW, pulsé ou linéaire, avec des niveaux de sortie jusqu’à 100 W (50 dBm). Acceptant une tension opérationnelle de 50V, ce transistor fonctionne en mode CW avec un gain de 18,3 dB à 2,45 GHz, avec un rendement de drain de 70%. En fonctionnement pulsé, le MAGX-100027-100C0P revendique un gain de 18,4 dB à 2,7 GHz, avec un rendement de drain de 71%. Ce transistor testé en RF à 100%, est disponible en boîtier plastique au standard du marché, avec une bride à boulonner.

Offrant des performances dignes de composants GaN-sur-SiC (Nitrure de galium sur carbure de silicium), avec des coûts de production estimés inférieurs à ceux de la technologie LDMOS actuelle, le GaN de 4e génération (Gen4 GaN) est bien placé pour briser les dernières barrières techniques et commerciales s’opposant à l’adoption généralisée du GaN, promet le fabricant. Gen4 GaN fournit un rendement crête supérieur à 70% et un gain de 19 dB pour des signaux modulés à 2,7 GHz, ce qui est comparable aux technologies GaN-sur-SiC, et un rendement en croissance de plus de 10% par rapport à la technologie LDMOS. Selon MACOM, la technologie Gen4 GaN offre également une densité de puissance plus de quatre fois supérieure à celle de la technologie LDMOS.

Fabricant : MACOM

Référence : MAGX-100027-100C0P