Échantillonnage des premières mémoires flash Nand à plus de 300 couches, lancement de la production de volume des premières Dram LPDDR5X de 24 Go, échantillonnage de mémoires large bande pour l’IA : SK Hynix ne lésine pas sur les moyens en termes d’innovations.
La huitième génération de mémoires Nand à cellules empilées du Coréen établit ainsi un nouveau record de densité.
Toshiba Electronics Europe (TEE) lance une gamme de mémoires Flash NAND e･MMC 15 nm pour systèmes d’info-divertissement automobile et applications industrielles. Ces mémoires supportent une large plage de températures d’utilisation allant de -40°C à 85°C, et répondent aux spécifications AEC-Q100 et aux exigences PPAP (Production Part Approval Process, ou processus d’homologation de pièces de production).
Intel et Micron Technology ont dévoilé le 28 juillet la technologie 3D XPoint qui, à leurs yeux, constitue la première nouveauté réelle en termes de catégories de mémoire depuis l’invention de la mémoire flash NAND en 1989. Actuellement en production, cette nouvelle catégorie de mémoires non-volatiles aurait le potentiel pour révolutionner les équipements, applications ou services qui nécessitent un accès rapide à de grandes quantités de données, assurent les deux partenaires. La technologie est jusqu’à 1000 fois plus rapide, et offre une endurance jusqu’à 1000 fois supérieure par rapport au NAND, et est 10 fois plus dense que les mémoires traditionnelles.
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