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Tag Archives | GaN

GaN-250918

STMicroelectronics va industrialiser à Tours la technologie « GaN-sur silicium » avec l’aide du Leti

STMicroelectronics et le CEA-Leti annoncent leur coopération en vue d’industrialiser des technologies « nitrure de gallium sur silicium » (GaN-on-Si) pour circuits de commutation de puissance. Cette technologie GaN-on-Si de puissance permettra à ST de répondre aux exigences d’applications à haut rendement et de forte puissance, telles que les chargeurs embarqués pour véhicules hybrides et électriques, les […]

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ArrowGaN-210918

Arrow distribue les transistors de GaN Systems en Europe

Arrow Electronics distribue désormais la gamme de transistors GaN (nitrure de gallium) de GaN Systems en Europe, au Moyen-Orient et en Afrique (EMEA). GaN Systems produit des familles de transistors de 100 V et de 650 V. Ces dispositifs GaN offrent un rendement élevé et une taille réduite, offrant des opportunités dans des domaines aussi variés que […]

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Leti-241017

Le Leti coordonne un projet européen sur le véhicule électrique

Le CEA-Leti annonce le démarrage d’un projet de R&D européen dans le cadre du programme Horizon 2020, afin de développer des solutions innovantes pour la motorisation de la troisième génération de véhicules électriques. Ce projet fait une large place à l’utilisation du nitrure de gallium, un semiconducteur composé à large structure de bande. (suite…)

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GaN-180817

BMW investit dans GaN Systems

Le Canadien GaN Systems, développeur de transistors de puissance en nitrure de gallium (GaN), a annoncé une levée de fonds menée par le bras d’investissement de BMW, BMW i Ventures. BMW i Ventures investit dans GaN Systems parce que les produits développés permettent à la fois de maximiser l’efficacité des systèmes électroniques et d’en réduire […]

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ADI-080617

Amplificateur GaN MMIC large bande | Analog Devices

Analog Devices annonce sous la référence HMC8205 un amplificateur de puissance large bande en nitrure de gallium (GaN). Couvrant le spectre de fréquences compris entre 300 MHz et 6 GHz, cet amplificateur à haut niveau d’intégration offre d’importants avantages pour concepteurs de systèmes pour des applications telles que les infrastructures sans fil, les radars, les communications radio […]

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Ommic-200616

Ommic lève 12M€ pour quadrupler sa production de circuits III-V en vue de la 5G

Spécialisé dans  la fabrication de circuits intégrés III-V (GaAs, GaN) pour l’industrie des télécommunications et le domaine spatial, le Francilien Ommic annonce une levée de fonds à hauteur de 12 millions d’euros, avec le soutien de bpifrance, de la BNP, de la Banque Populaire et de Financière Victoire. Cet investissement va permettre à Ommic de […]

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Exagan-110516

Circuits GaN : le Grenoblois Exagan s’allie à Hirex pour réduire le coût des onduleurs PV

La start-up grenobloise Exagan, qui innove dans les composants de puissance avec une technologie de nitrure de gallium (GaN) sur silicium, vient de signer un accord de partenariat stratégique avec le Toulousain Hirex Engineering afin d’établir la fiabilité de sa technologie en vue de son intégration, par exemple dans des onduleurs pour le photovoltaïque ou […]

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GaN-SiC-140316

Semiconducteurs de puissance SiC et GaN : 1 milliard de dollars en 2020

Alors que le fondeur allemand X-FAB lance un service de production de circuits SiC sur tranches de 150 mm de diamètre (voir notre article dans Europelectronics), IHS publie une étude qui montre que le marché des semiconducteurs de puissance en technologie carbure de silicium (SiC) et nitrure de gallium (GaN) devrait enfin décoller, passant de […]

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