L’Américain Cree annonce la signature d’un accord pluriannuel portant sur la production et la fourniture de tranches en carbure de silicium à STMicroelectronics. Dans le cadre de cet accord, Cree va fournir à STMicroelectronics des tranches en carbure de silicium (SiC) avec et sans épitaxie en technologie 150 mm pour un montant de 250 millions de dollars dans un contexte de fortes croissance et demande en composants de puissance en carbure de silicium.

« ST est aujourd’hui la seule société de semiconducteurs capable de produire en volume des circuits en carbure de silicium pour l’environnement automobile et nous souhaitons accélérer la croissance de notre activité SiC, tant en termes de volume que de diversité des applications servis, en vue d’atteindre une position de leader sur un marché estimé à plus de 3 milliards de dollars en 2025 », a déclaré Jean-Marc Chéry, président du directoire et directeur général de STMicroelectronics. « L’accord conclu avec Cree nous permettra d’améliorer notre flexibilité, de soutenir nos ambitions et nos plans et contribuera à favoriser l’accélération de l’utilisation du carbure de silicium dans les applications automobiles et industrielles ».

« Nous restons concentrés sur l’adoption de solutions utilisant le carbure de silicium et le présent accord s’inscrit pleinement dans le cadre de notre mission », a déclaré Gregg Lowe, CEO de Cree. « Il s’agit du troisième accord pluriannuel signé en l’espace d’un an en vue d’accompagner l’industrie à migrer du silicium au carbure de silicium. En tant que leader mondial dans le domaine du carbure de silicium, Cree continue d’augmenter sa capacité de production pour répondre aux besoins croissants du marché, et tout particulièrement des applications industrielles et automobiles. Nous nous réjouissons d’apporter notre soutien à STMicroelectronics, au moment où nos deux sociétés s’investissent pour accélérer le développement de ce marché ».

Wolfspeed, une société du groupe Cree, est le premier fabricant mondial de tranches en carbure de silicium (SiC) et de tranches épitaxiées. Un contrat du même type (plus de 100 M$) avait déjà été signé avec Infineon en mars 2018.