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Samsung enrichit son offre de fonderie en technologie FD-SOI

Samsung Electronics annonce avoir renforcé son offre de prestations de fonderie en technologie FD-SOI 28 nm en proposant des produits dérivés qui incluent RF et eMRAM. Samsung Foundry a ainsi dévoilé sa première puce de test eMRAM basée sur un procédé FD-SOI 28 nm (28FDS). Jusqu’ici 40 produits basés sur le procédé FD-SOI  ont déjà été réalisés par le fondeur coréen pour différents clients.

« Samsung a lancé la production en série de sa technologie de gravure 28FDS l’année dernière et son procédé a déjà atteint la maturité technologique souhaitée, ce qui dépasse largement nos prévisions », a déclaré Ryan Lee, vice-président de Foundry Marketing chez Samsung Electronics. « Jusqu’à présent, nous avons sorti plus de 40 produits basés sur le procédé FD-SOI pour différents clients. Avec l’intégration RF et eMRAM dans les technologies 28FDS et 18FDS, nous espérons augmenter la production ».

L’eMRAM de Samsung est le nouveau membre de la famille de mémoires non volatiles embarquées et offre des avantages en termes de vitesse, de consommation et d’endurance.

« En ajoutant seulement trois couches au procédé final, nous pouvons facilement intégrer les nouvelles cellules eMRAM dans le procédé FD-SOI de base existant », assure Gitae Jeong, vice-président directeur de l’Advanced Technology Development chez Samsung Electronics.

« Samsung travaille avec NXP sur une puce de test pour fournir une possibilité de macro eMRAM optimisée pour l’intégration et la fabrication de processeurs embarqués », a déclaré Ron Martino, vice-président directeur et directeur général pour la ligne de produits iMX Applications Processor chez NXP. Cette puce de test est achevée et produira des résultats au 4e trimestre.

Samsung a créé un ensemble complet de solutions pour l’écosystème de la technologie 28FDS avec plusieurs partenaires de l’écosystème, notamment Cadence et Synopsys.

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