Selon SEMI, si actuellement la conjoncture est favorable aux fabricants de mémoires Drams avec une demande qui progresse en nombre de bits et des prix à la hausse en 2013 et 2014, la capacité de production mondiale installée devrait reculer de 25 000 tranches par mois entre 2014 et 2016.
En fait, l’organisation professionnelle explique qu’à chaque transition vers un nœud technologique plus avancé, il y a une perte mécanique des capacités de production disponibles du fait de l’accroissement des difficultés de production. L’accroissement de la complexité de production et l’augmentation du nombre des étapes du procédé de fabrication réduisent de 10% à 20% le nombre de tranches produits à surface de salle blanche équivalente. Selon SEMI, ce constant s’applique à partir des nœuds technologiques 30/28 nm. C’est pourquoi, si rien n’est fait, la capacité de production mondiale installée en Drams devrait reculer de 25 000 tranches par mois entre 2014 et 2016.

En 2007, il y avait encore onze fabricants « majeurs » de mémoires Drams, qui opéraient alors dans une quarantaine d’unités de production. Entre 2003 et 2007, la capacité de production installée avait même progressé de 40% à 50% par an. Mais tout cela appartient à l’histoire : aujourd’hui, SEMI ne dénombre pas plus de six fabricants de Drams opérant dans une vingtaine de fabs.

Pour répondre à l’accroissement de la demande, trois ou quatre nouvelles lignes de production devraient démarrer cette année. Mais leur montée en puissance devrait prendre du temps et SEMI n’entrevoit pas d’inversion de la tendance de l’évolution des capacités installées avant 2016 (+3%).

Actuellement, les fabricants de Drams ont recours aux procédés 21/20 nm (15 nm pour les plus avancés). L’organisation professionnelle considère qu’à ce stade les procédés traditionnels ont atteint leurs limites et présenteront de moins en moins d’opportunités. Les fabricants devront alors se tourner vers d’autres technologies pour remplacer les Drams conventionnelles, conseille l’organisation professionnelle : MRAM (Ram magnétique), FeRAM (RAM ferro-électrique) ou ReRAM (RAM résistive).

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