Toshiba Electronics Europe vient d’annoncer une gamme de MOSFET rapides, haute tension et haut rendement, pour régulateurs de tension à découpage. Disponibles avec des tensions nominales de 800V ou 900V, ces quatre dispositifs canal-N offrent une résistance à l’état passant (RDS(ON)) typique de seulement 1,9Ω. Les applications cible sont les convertisseurs “flyback” pour l’éclairage à DEL, les alimentations supplémentaires, et tous les circuits nécessitant de commuter un courant de moins de 5A.

Toshiba-240316Ces MOSFET améliorés s’appuient sur le procédé de fabrication de huitième génération, Toshiba Pi-MOS-8, qui combine des niveaux élevés d’intégration de cellules et une conception de cellule optimisée. Cette technologie permet d’obtenir une charge de grille et une capacitance réduites, sans perdre le bénéfice d’une faible RDS(ON).

Ces MOSFET constituent les suppléments courant faible de la gamme existante DTMOS IV de dispositifs DTMOS4 800V superjonction. Le TK3A90E 2,5A, et le TK5A90E 4,5A offrent une tension nominale VDSS de 900V, et des valeurs RDS(ON) typiques de respectivement 3,7Ω et 2,5Ω. Le TK4A80E 4,0A, et le TK5A80E 5,0A offrent une tension nominale VDSS de 800V, et des valeurs RDS(ON) typiques de respectivement >2,8Ω et 1,9Ω.

Ces MOSFET présentent un courant de fuite maximum de seulement 10 μA (VDS = 60V) et une tension de seuil de grille de 2,5V à 4,0V (avec VDS = 10V et un courant de drain de 0,4 mA). Tous ces dispositifs sont fournis en boîtier standard TO-220SIS.

Fabricant : Toshiba

Référence : TK4A80E et TK3A90E