MOSFET avec dispositif 40V ultra-compact pour circuits à faible EMI | Toshiba
Toshiba Electronics Europe élargit sa gamme de MOSFET basés sur son procédé semiconducteurs « trench » de dernière génération, U-MOS-IX-H, avec un dispositif 40V ultra-compact à diode SRD (Soft Recovery Diode, ou diode de récupération) intégrée.
Grâce à sa diode SRD intégrée, le TPH1R204PB est en mesure de maintenir à un niveau minimum les pics de tension générés entre drain et source lors de la commutation. Ce MOSFET est ainsi adapté au redressement synchrone au secondaire des alimentations à découpage qui nécessitent un faible niveau EMI (Electro Magnetic Interference, ou parasite électromagnétique). Les applications cibles sont notamment les convertisseurs AC-DC et DC-DC haut-rendement, ainsi que les commandes moteurs, par exemple pour les outils électro-portatifs sans fil.
Le TPH1R204PB est un dispositif canal-N avec une résistance à l’état passant (RDS(ON)) maximum de seulement 1,2 mΩ (VGS = 10V). La charge nominale en sortie (QOSS) n’est que de 56 nC. Ce dispositif est conditionné en boîtier SOP Advance de seulement 5 x 6 x 0,95 mm.
Fabricant : Toshiba
Référence : TPH1R204PB
