Partenaires dans les mémoires flash depuis 12 ans au travers de leur société commune IM Flash Technologies, Intel et Micron Technology ont décidé de rompre leurs liens. A partir du 1e janvier 2019, Micron va exercer son droit de racheter la participation d’Intel dans la société commune, se donnant ainsi les coudées franches pour écrire seul la feuille de route des prochaines générations de mémoires flash.

A la date de la finalisation de la transaction qui devrait intervenir 6 à 12 mois plus tard, Micron s’attend à débourser environ 1,5 milliard de dollars pour reprendre la participation minoritaire d’Intel dans IM Flash Technologies, dont la dette s’élevait par ailleurs à 1 milliard de dollars au 30 août dernier. Déjà, en février 2012, Intel avait cédé à Micron ses participations dans deux usines d’IMFT, l’une à Singapour, l’autre en Virginie, aux Etats-Unis, pour un montant de 600 millions de dollars.

À la clôture de la transaction, IM Flash deviendra ainsi une filiale à 100% de Micron, ce dernier reprenant tous les employés de la société commune. L’acquisition permettra à Micron de diriger de manière indépendante la R&D et la fabrication de la technologie 3D XPoint. En juillet 2018, Micron et Intel avaient déjà convenu d’arrêter leur développement en commun de la technologie 3D XPoint après l’achèvement du nœud de deuxième génération, qui devrait avoir lieu au cours du second semestre de l’exercice 2019. Micron collabore actuellement avec des partenaires de l’écosystème pour introduire les produits 3D XPoint à la fin de 2019, avec une commercialisation en 2020. La fabrication en commun de la mémoire 3D XPoint se poursuivra sur le site IM Flash de Lehi, dans l’Utah, jusqu’à la fin de la transaction. Sur la base d’accords antérieurs, Micron vendra des tranches de mémoire 3D XPoint à Intel jusqu’à un an après la clôture de la transaction.

Dévoilée le 28 juillet 2015, la technologie 3D XPoint était alors présentée par les deux partenaires comme la première nouveauté réelle en termes de catégories de mémoire depuis l’invention de la mémoire flash NAND en 1989. Les mémoires 3D Xpoint seraient jusqu’à 1000 fois plus rapides, et offriraient une endurance jusqu’à 1000 fois supérieure par rapport aux flash NAND, en étant 10 fois plus denses que les mémoires traditionnelles.