Mémoire Dram DDR4 8 Gbits en classe 10 nm | Samsung
Samsung Electronics annonce la mise au point de la première Dram de 3e génération, à double débit de données 4 (DDR4) de 8 Gbits, gravée en classe 10 nanomètres (1z nm). En seulement 16 mois depuis le début de la production en série de la DDR4 de 8 Gb en classe 10 nm (1y nm) le développement de la DDR4 de 8 Gb en 1z nm sans procédé de gravure Extreme Ultra-Violet (EUV) repousse les limites de la miniaturisation des mémoires Drams.
La gravure en 1z nm étant la plus fine du secteur, Samsung peut désormais répondre aux demandes croissantes du marché avec sa nouvelle Dram DDR4 qui offre une productivité de 20% supérieure à celle de la version précédente.
La production en série de la DDR4 de 8 Gbts en 1z nm devrait commencer au cours du second semestre de l’année pour les serveurs d’entreprise et les ordinateurs haut de gamme de prochaine génération qui seront lancés en 2020.
Le développement par Samsung d’une DRAM en 1z nm ouvre la voie à une transition informatique mondiale plus rapide vers l’utilisation d’interfaces Dram de nouvelle génération (DDR5, LPDDR5 et GDDR6, par ex.) qui seront au cœur des innovations numériques de demain. Dotés de capacités et de performances supérieures, d’autres produits gravés en 1z nm verront bientôt le jour, ce qui doit permettre à Samsung de renforcer sa compétitivité sur le marché des mémoires Dram haut de gamme pour des applications telles que les serveurs ou les dispositifs graphiques et mobiles.
