Le marché des circuits de puissance GaN va décoller en 2016
Le marché des composants en niture de gallium (GaN) pour des applications de puissance, encore marginal cette année, devrait véritablement décoller en 2016 et pourrait atteindre 300 millions de dollars en 2020, selon une étude publiée par Yole Développement, en partenariat avec KnowMade. Infineon, qui a racheté International Rectifier, semble le mieux placé pour accompagner l’essor de ce marché.
L’étude, intitulée « composants GaN et SiC pour applications de puissance », reconnaît qu’il y a peu d’acteurs qui commercialisent aujourd’hui des composants GaN. Les principaux fournisseurs sont actuellement Infineon/International Rectifier, EPC, GaN Systems et Transphorm. Le marché des circuits GaN est embryonnaire et ne devrait pas dépasser 10 millions de dollars. Mais selon Yole Développement, ce marché devrait véritablement décoller à partir de 2016 et pratiquement doubler chaque année (+93% par an en moyenne entre 2016 et 2020) pour dépasser alors la barre des 300 millions de dollars à l’issue de la période.
Plus de 1960 brevets mondiaux relatifs au GaN auraient été déposés jusqu’en avril dernier, recense l’étude pour montrer l’effervescence autour de la technologie du nitrure de gallium. Selon cette étude, International Rectifier a le portefeuille de brevets le plus étoffé concernant le GaN de puissance et IR/Infineon est donc le mieux placé pour conquérir ce marché. Mais des entreprises comme l’Américain Transphorm ou les Japonais Fujitsu et Mitsubishi ont également les moyens de rebattre les cartes dans ce domaine.
Les transistors de puissance au nitrure de gallium de GaN Systems apportent des avantages significatifs par rapport aux composants MOSFET et IGBT au silicium traditionnels pour proposer des composants électroniques de puissance plus compacts, légers et performants.
