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GaN sur silicium : Exagan ouvre un centre d’applications à Toulouse

Pour accélérer l’adoption des semiconducteurs au nitrure de gallium (GaN) sur silicium sur les marchés de l’énergie, la start-up grenobloise Exagan, ouvre un centre de solutions en énergie à Toulouse.

L’ouverture de ce centre de support aux applications et au développement de produits spécifiques au client, fonctionne en étroite collaboration avec son partenaire technologique CEA Tech, et fait suite au lancement du premier centre GaN d’Exagan à Taïwan en octobre dernier.

L’installation de Toulouse offre aux clients de nouvelles capacités de développement d’applications et de validation de produits utilisant des équipements électroniques spécialisés. Cela permet également à Exagan de maîtriser de nouvelles architectures pour les solutions GaN tout en augmentant l’efficacité de la conversion d’énergie dans les topologies actuelles.

Exagan, qui présente cette semaine son portefeuille de produits lors de PCIM Europe en Allemagne, met en avant les performances de ses transistors de puissance G-FET dans des applications telles que les chargeurs USB 3.0 de 65 watts et la correction du facteur de puissance (PFC) allant de 300 watts à 1,5 kilowatts pour les centres de données de prochaine génération.

Le marché du GaN dans l’électronique de puissance devrait croître à un taux de croissance annuel moyen de 93% d’ici 2023, selon Yole Développement.

Avec son modèle d’entreprise fab-lite, Exagan offre un contrôle complet de l’intégration de la technologie GaN, des matériaux de départ à la mise en œuvre complète dans les produits finis, permettant l’optimisation des produits et la fabrication en série. Le portefeuille de produits de la société couvre un large éventail de niveaux de puissance et d’applications, allant des petits systèmes de charge rapide aux centres de données et chargeurs automobiles embarqués jusqu’aux stations de charge rapide pour véhicules électriques. Les transistors de puissance G-FET peuvent être fabriqués en fonderie sur tranches de 200 mm de diamètre, permettant ainsi une offre multi-sources.

« S’appuyant sur une solide gamme de produits et de technologie GaN, Exagan déploie maintenant des centres de solutions GaN Power en Europe et en Asie afin de travailler en étroite collaboration avec ses clients. Notre objectif est de fournir la meilleure fonctionnalité et la meilleure valeur possible en optimisant l’équilibre sans précédent sur le marché de la densité, de l’efficacité énergétique, de la fiabilité et des coûts de système des appareils GaN », a déclaré Frédéric Dupont, président et CEO d’Exagan.

En octobre dernier, l’entreprise avait déjà créé Exagan Taiwan avec un nouveau centre de vente et d’applications à Taiwan – la première étape de la société dans son déploiement sur le marché mondial – pour accélérer le développement et l’utilisation de solutions d’alimentation rapides et intelligentes au GaN dans la région.

Fondée en 2014 avec le soutien du CEA-Leti et de Soitec, Exagan se consacre à accélérer la transition du secteur de l’électronique de puissance de la technologie à base de silicium à la technologie GaN sur silicium, permettant des convertisseurs électriques plus petits et plus efficaces. Ses commutateurs d’alimentation GaN sont conçus pour être fabriqués en fonderie sur tranches de 200 mm. Les applications englobent les maisons intelligentes, l’électronique informatique, l’industriel et l’automobile. Les partenaires stratégiques comprennent X-FAB, le CEA-Leti et le groupe TÜV NORD.

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