Une usine chinoise de mémoires de 30 milliards de dollars
Le Chinois Tsinghua Unigroup décline son méga-projet d’investir 70 milliards de dollars dans trois usines de semiconducteurs. Selon le quotidien taïwanais DigiTimes, le groupe chinois vient en effet de signer avec les responsables du gouvernement local de Nanjing les autorisations pour lancer la construction d’une usine de mémoires de 30 milliards de dollars.
L’usine de Nanjing (province de Jiangsu) devrait produire des mémoires flash NAND 3D et des Drams, selon le quotidien taïwanais. La première phase de l’investissement devrait mobiliser 10 milliards de dollars pour arriver à une capacité de production annuelle de 100 000 tranches de 300 mm de diamètre. Comme toujours en pareil cas, aucun calendrier précis n’a été divulgué.
En décembre, Tsinghua Unigroup avait déjà engagé la construction d’une unité de production de mémoires flash NAND 3D à Wuhan (province de Hebei) représentant un investissement de 24 milliards de dollars (voir notre article). L’usine viserait un démarrage de la production de volume en 2018.
Bras armé de la politique industrielle de l’Etat chinois en microélectronique, Tsinghua Unigroup, dont Spreadtrum Communications et RDA Microelectronics sont les filiales, compte ainsi se développer par lui-même, après avoir été éconduit par les Occidentaux pour ses projets de racheter des fabricants de semiconducteurs étrangers. Selon IC Insights, la Chine n’aurait été à la manœuvre que pour 4% des opérations de fusions-acquisitions en semiconducteurs en 2015 et 2016 (voir article dans cette édition).
