Grâce à un boîtier SSO10T permettant l’évacuation de la chaleur par le haut, ces Mosfet 40 V pour applications automobiles d’Infineon Technologies éliminent le transfert de la chaleur à travers le PCB, contrairement au boîtier SSO8 standard, et améliorent ainsi de manière significative leurs performances thermiques.
Hébergés dans un boîtier innovant de taille réduite, les derniers Mosfet canal N de 40 V du Japonais présentent une résistance à l’état passant réduite de 11% par rapport aux modèles précédents et délivrent un courant jusqu’à 200 A en continu.
Le module 2200 V à double Mosfet SiC signé Toshiba permet de troquer les onduleurs à trois niveaux à base d’IGBT contre des topologies à deux niveaux plus compactes et plus légères dans le photovoltaïque, l’automobile et le stockage d’énergie.
Disposant d’une connexion Kelvin, les boîtiers TO-247-4L(X) à quatre broches dans lesquels sont logés les derniers Mosfet SiC 650 V et 1200 V du Japonais permettent de réduire les pertes par rapport aux versions en boîtier standard à trois broches.
Les derniers Mosfet canal N 650 V du Japonais voient leur résistance drain-source à l’état passant (Rds(on)) réduite de 13 % et leur facteur de mérite amélioré de 52%, afin d’améliorer le rendement des alimentations à découpage.
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