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Tag Archives | Mémoire

Hprobe-280318

La start-up grenobloise Hprobe délivre son premier testeur de mémoires magnétiques

La jeune pousse grenobloise Hprobe, fondée en mars 2017, vise le marché des équipements de test pour les futures mémoires magnétiques MRAM. Hprobe a livré le mois dernier sa première machine à l’Imec, grand laboratoire européen de recherche en microélectronique. La start-up prouve ainsi l’intérêt de ces testeurs pour les fabricants de la prochaine génération […]

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Dram-150318

La hausse des prix des mémoires propulse à 15% la prévision de croissance du marché des puces en 2018

IC Insights vient de réviser en forte hausse ses prévisions de croissance du marché des mémoires Drams et des mémoires flash NAND pour 2018 : +37% pour les Drams (contre une prévision initiale de 13%) et +17% pour les flash NAND (+10% initialement). Dans ce contexte, le cabinet d’études américain relève à +15% sa prévision de […]

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Toshiba-100118

Dispositifs de stockage à mémoire flash 3D 64 couches | Toshiba

Toshiba Memory Europe a commencé à échantillonner des dispositifs UFS (Universal Flash Storage, ou stockage Flash universel) utilisant la mémoire flash 3D BiCS FLASH de Toshiba Memory. Ces dispositifs UFS répondent aux exigences de performance des applications nécessitant une lecture/écriture rapide et une faible consommation, notamment les appareils mobiles comme les smartphones ou les tablettes, […]

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Flash-121217

Le prix des mémoires Flash va baisser au 1er trimestre 2018 mais ça ne va pas durer

DRAMeXchange, une division du cabinet d’études taïwanais TrendForce, s’attend à une baisse de la demande en mémoires Flash NAND au premier trimestre 2018 en raison de la traditionnelle période creuse. La demande pour les ordinateurs portables, tablettes et smartphones (principalement les smartphones de marque chinoise) devrait diminuer de plus de 15% par rapport au quatrième […]

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Samsung-151117

Samsung tue dans l’œuf la concurrence chinoise en mémoires

Cette année, Samsung va investir 26 milliards de dollars dans ses usines de semiconducteurs, soit davantage qu’Intel et TSMC réunis, avertit IC Insights. Conséquences : les velléités de la Chine de créer ex nihilo une industrie des mémoires deviennent caduques ; une surcapacité de production en mémoires flash NAND 3D est inéluctable. (suite…)

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Toshiba-280917

Accord signé pour la vente de Toshiba Memory : Apple et SK Hynix sont bien de la partie

Toshiba annonce ce jeudi avoir signé l’accord pour céder Toshiba Memory à un consortium emmené par le fonds d’investissement Bain Capital pour 2000 milliards de yens (18 milliards de dollars). Apple, Kingston Technology, Seagate et Dell, ainsi que SK Hynix et le Japonais Hoya font officiellement partie des repreneurs. Malgré tout, Western Digital compte toujours […]

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Samsung-260917

Mémoire embarquée Universal Flash Storage pour l’automobile | Samsung

Samsung Electronics annonce le lancement de la première solution eUFS (embedded Universal Flash Storage) destinée à la prochaine génération d’applications automobiles. Composée de versions 128 Go et 64 Go, la nouvelle solution eUFS a été conçue pour les systèmes d’aide à la conduite, les tableaux de bord de la prochaine génération et les systèmes d’info-divertissement. (suite…)

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Toshiba-310817

Toshiba dément tout accord imminent avec Western Digital

Le groupe japonais Toshiba se fend d’un communiqué ce matin pour affirmer officiellement qu’il continue de négocier avec trois consortiums pour la reprise de ses activités dans les mémoires, démentant ainsi les affirmations de presse nipponne qui annonçait que le groupe allait aujourd’hui entériner le choix de Western Digital comme repreneur. La surprise vient que […]

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