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Tag Archives | Flash

Micron-191018

Micron va racheter la part d’Intel dans leur société commune en mémoires flash

Partenaires dans les mémoires flash depuis 12 ans au travers de leur société commune IM Flash Technologies, Intel et Micron Technology ont décidé de rompre leurs liens. A partir du 1e janvier 2019, Micron va exercer son droit de racheter la participation d’Intel dans la société commune, se donnant ainsi les coudées franches pour écrire […]

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Flash-121217

Le prix des mémoires Flash va baisser au 1er trimestre 2018 mais ça ne va pas durer

DRAMeXchange, une division du cabinet d’études taïwanais TrendForce, s’attend à une baisse de la demande en mémoires Flash NAND au premier trimestre 2018 en raison de la traditionnelle période creuse. La demande pour les ordinateurs portables, tablettes et smartphones (principalement les smartphones de marque chinoise) devrait diminuer de plus de 15% par rapport au quatrième […]

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Samsung-051217

Première mémoire flash embarquée de 512 Go | Samsung

Samsung Electronics a annoncé aujourd’hui le lancement de la production en série de première solution eUFS (embedded Universal Flash Storage) de 512 Go destinée à la prochaine génération d’appareils mobiles. Basé sur les dernières puces V-NAND à 64 couches et 512 Gbits de Samsung, le nouveau boîtier eUFS de 512 Go offre une capacité de […]

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toshiba-101116

Toshiba démarre la construction d’une nouvelle usine de mémoires flash 3D

Le Japonais Toshiba annonce le calendrier des grandes lignes de la construction d’une nouvelle unité production de mémoires flash 3D BiCS FLASH à Yokkaichi Operations à Mie, au Japon. Suite à l’annonce en mars de son intention de créer un nouveau site BiCS FLASH avec son partenaire Western Digital (qui possède désormais Sandisk) dans leur […]

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Toshiba-030816

Toshiba et Western Digital investissent dans la production de mémoires flash 3D

Toshiba et Western Digital, qui possède désormais SanDisk, ont célébré le 16 juillet l’ouverture du site New Fab 2 de fabrication de semiconducteurs installé à Yokkaichi, dans la préfecture de Mie, au Japon. Le site New Fab 2 permettra la conversion de la capacité de production en NAND 2D des deux entreprises en mémoire flash […]

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TSMC-160316

Fonderie 16 nm pour TSMC, flash NAND 3D pour XMC : la Chine se dote d’usines de pointe

Premier fondeur mondial, le Taïwanais TSMC vient d’obtenir l’autorisation de construire une unité de production avancée en technologie en16 nm à Nanjing en Chine, ainsi qu’un centre de services de conception de puces associés. L’usine sur tranches de 300 mm de diamètre de Nanjing représente un investissement de l’ordre de 3 milliards de dollars. Par […]

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Organisation-180316

Toshiba investit dans les mémoires flash et cède son électroménager à un Chinois

Alors que les actionnaires de Sandisk viennent d’approuver à 98% le rachat de l’entreprise par Western Digital, le Japonais Toshiba vient d’annoncer sa décision de lancer la construction et l’équipement d’une nouvelle unité de production mémoires flash NAND 3D au Japon, dont l’investissement total pourrait à terme représenter 360 milliards de yens (3,2 milliards de […]

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SSD-030316

Les disques SSD devraient équiper 30% des PC portables cette année

La différence de prix en les disques de stockage de données à mémoire flash (SSD) et les disques durs traditionnels ne cesse de s’amenuiser, tant et si bien que DRAMeXchange, une division de TrendForce, prévoit que plus de 30% des notebooks vendus cette année seront équipés de disques SSD. (suite…)

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Toshiba-031115

Mémoire Flash NAND à interface série pour applications embarquées

Toshiba Electronics Europe vient de lancer une gamme de mémoires Flash NAND SLC (Single Level Cell, ou cellule simple niveau) 24 nm pour applications embarquées, qui sont compatibles avec l’interface SPI (Serial Peripheral Interface ou interface périphérique série). Parmi les applications de ces nouvelles NAND à interface série, citons des applications grand-public comme les téléviseurs à […]

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