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Mémoire V-NAND à 64 couches | Samsung Electronics

Samsung Electronics annonce le lancement de la production en masse d’une mémoire flash V-NAND à 64 couches de 256 Gbits destinée à un éventail toujours plus large de solutions de stockage. Les premières puces V-NAND MLC (cellule multiniveau) 3 bits à 64 couches de 256 Gbits seront intégrées dans un large panel de disques de stockage SSD, de produits mémoire UFS intégrés et de cartes mémoire pour les clients serveurs, PC et mobiles.

La V-NAND 3 bits à 64 couches de 256 Gbits Samsung offre une vitesse de transfert de données de 1 Gbit/s, c’est la plus rapide des mémoires flash NAND actuelles. En outre, la V-NAND offre un temps de programmation par page (tPROG) de 500 μs, le plus court du secteur des mémoires flash NAND, environ 4 fois plus rapide que celle d’une mémoire flash NAND planaire classique de 10 nm et environ 1,5 fois plus rapide que celle des mémoires flash V-NAND MLC 3 bits à 48 couches de 256 Gbits, jusqu’ici l’une des plus rapides de Samsung.

La nouvelle V-NAND à 64 couches de 256 Gbits offre un gain de productivité de plus de 30% par rapport à la V-NAND précédente à 48 couches de 256 Gbits. En outre, la V-NAND à 64 couches utilise une tension d’entrée de 2,5 V pour ses circuits, ce qui représente une efficacité énergétique d’environ 30% supérieure à celle de la V-NAND à 48 couches avec sa tension de 3,3 V. De même, la fiabilité des nouvelles cellules V-NAND a également augmenté d’environ 20% par rapport celle de leur prédécesseur.

Pour consolider son avantage concurrentiel sur le marché des mémoires, Samsung prévoit de produire en grande série la puce V-NAND à 64 couches, généralement appelée 4e génération de V-NAND, afin de couvrir plus de 50% de sa production de flash NAND mensuelle d’ici la fin de l’année.

Depuis que Samsung a commencé à produire le premier disque SSD basé sur des puces V-NAND à 64 couches de 256 Gbits en janvier pour ses clients clés, il a mis au point de nombreuses solutions de stockage V-NAND innovantes mobiles et grand public. Elles englobent la mémoire UFS intégrée, les SSD de marque et les cartes mémoire externes que la société prévoit de commercialiser au courant de l’année.

Fabricant : Samsung

Référence : flash V-NAND à 64 couches de 256 Gbits

 

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