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Mémoire DRAM 16 Gbits classe 10 nm pour l’automobile | Samsung Electronics

Samsung Electronics annonce le lancement de la production en grande série de la DRAM LPDDR4X de 16 Gbits gravée en classe 10 nm (*) et destinée à l’automobile. Cette toute nouvelle LPDDR4X offre des performances et une efficacité énergétique élevées. Son niveau d’endurance thermique est considérablement relevé pour les applications automobiles qui doivent souvent fonctionner dans des environnements extrêmes. La DRAM de classe 10 nm intègrera également l’interface LPDDR4X DRAM automobile la plus rapide et avec la densité la plus élevée.

En améliorant les performances de sa DRAM gravée en classe 20 nm, jusqu’alors conforme aux normes automobiles de classe 2 qui exigent de supporter des températures de –40 °C à +105 °C, Samsung propulse sa LPDDR4X de 16 Gbits dans la classe 1 grâce à sa limite supérieure de 125 °C. Dépassant les rigoureuses exigences des essais de cyclage thermique sur système des constructeurs automobiles mondiaux, la fiabilité de la LPDDR4X de 16 Gb est nettement supérieure. Elle s’adapte à une grande variété d’applications automobiles dans les environnements les plus exigeants.

Outre sa fiabilité aux températures élevées, la production à un nœud de classe 10 nm avancé est l’élément clé de la LPDDR4X de 16 Gbits. Grâce à cette production, elle est en mesure d’offrir des performances et une efficacité énergétique exceptionnelles. Même à des températures extrêmement élevées de 125 °C, sa vitesse de traitement des données atteint 4266 Mbit/s, ce qui représente une augmentation de 14% par rapport à la DRAM LPDDR4 de 8 Gbits basée sur la technologie de gravure en classe 20 nm. La nouvelle mémoire a également une efficacité énergétique améliorée de 30%.

En plus d’un lecteur eUFS (embedded Universal Flash Storage) de 256 Go (gigaoctets) annoncé en février, Samsung a étendu sa gamme de solutions mémoire avancées destinées aux futures applications automobiles avec la DRAM LPDDR4X de 16 Gbits, gravée en classe 10 nm et commercialisée en 12 Gbits, 16 Gbits, 24 Gbits et 32 Gbits. Tout en étoffant son offre en DRAM classe 10 nm, la société prévoit également de renforcer les partenariats technologiques de solutions automobiles avec la vision ADAS (Advanced Driver Assistance Systems ou aides à la conduite automobile), la conduite autonome, les systèmes et les passerelles d’infodivertissement.

(*) La classe 10 nm signifie un nœud de gravure compris entre 10 et 19 nanomètres.

Fabricant : Samsung

Référence : LPDDR4X

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